STMicroelectronics, leader globale nei semiconduttori con clienti in tutti i settori applicativi dell’elettronica, e Soitec, azienda francese attiva nella progettazione e produzione di materiali semiconduttori innovativi, hanno annunciato una nuova fase della loro collaborazione sui substrati in SiC (carburo di silicio), che prevede che ST qualifichi la tecnologia dei substrati in SiC di Soitec nel corso dei prossimi 18 mesi. L’obiettivo è l’adozione da parte di ST della tecnologia SmartSiC di Soitec per la futura produzione di substrati da 200 mm che andranno ad alimentare le sue attività di produzione di dispositivi e moduli, con una produzione in volumi prevista a medio termine. “Il passaggio alle fette in SiC da 200 mm apporterà vantaggi sostanziali ai nostri clienti dei settori automobile e industriale, mentre accelerano la transizione verso l’elettrificazione dei loro sistemi e prodotti. È importante per trainare economie di scala e accompagnare l’espansione in volumi dei prodotti”, ha dichiarato Marco Monti, Presidente del Gruppo Automotive and Discrete di STMicroelectronics. “Abbiamo scelto un modello integrato verticalmente per massimizzare il nostro know-how nell’intera catena di produzione, dai substrati di alta qualità fino alla produzione front-end e back-end su larga scala – ha aggiunto – L’obiettivo della collaborazione tecnologica con Soitec è continuare a migliorare le rese e la qualità della nostra produzione”.

Fonte: Il Secolo XIX